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蔡司雙束電鏡Crossbeam系列(FIB-SEM)結合了高分辨率場發射掃描電鏡（FE-SEM）的出色成像和分析性能，以及新一代聚焦離子束（FIB）的優異加工能力。
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蔡司雙束電鏡Crossbeam系列(FIB-SEM)：專為高通量3D分析和樣品制備量身打造的FIB-SEM
蔡司雙束電鏡Crossbeam系列(FIB-SEM)結合了高分辨率場發射掃描電鏡（FE-SEM）的出色成像和分析性能，以及新一代聚焦離子束（FIB）的優異加工能力。無論是用于多用戶實驗平臺，還是科研或工業實驗室， 利用Crossbeam系列模塊化的平臺設計理念，您可基于自身需求隨時升級儀器系統（例如使用LaserFIB進行大規模材料加工）。在加工、成像或是實現三維重構分析時，Crossbeam系列將大大提升您的聚焦離子束（FIB）應用效率。
使您的掃描電鏡（SEM）具備強大的洞察力
提升您的聚集離子束（FIB）樣品制備效率
在您的雙束電鏡（FIB-SEM）分析中體驗出色的三維空間分辨率
通過樣品臺減速技術（Tandem decel，新型蔡司Gemini電子光學系統的一項功能）實現低電壓電子束分辨率提升高達30%。
使用Gemini電子光學系統，您可以從高分辨率掃描電鏡（SEM）圖像中獲取真實的樣品信息。
在進行高度靈敏表面二維成像或三維斷層成像時，您可以信賴蔡司雙束電鏡Crossbeam系列的性能。
即使在使用非常低的加速電壓時也可獲得高分辨率、高對比度和高信噪比的清晰圖像。
借助一系列的探測器實現樣品的表征；使用Inlens EsB探測器獲得更純的材料成分襯度。
使用低電壓表征不導電樣品，消除荷電效應的影響。
配置Gemini光學系統的蔡司雙束電鏡Crossbeam系列
得益于智能聚焦離子束（FIB）的掃描策略，移除材料相比以往實驗快40%以上。
鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor采用了全新的加工方式：盡可能減少樣品損傷，提升樣品質量，從而加快實驗進程。
使用高達100 nA的離子束束流，高效而精確地處理樣品，并保持高分辨率。
制備TEM樣品時，請使用鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor的低電壓功能：獲得超薄樣品的同時，盡可能降低非晶化損傷。
體驗整合的三維能譜和EBSD分析所帶來的優勢。
在切割、成像或執行三維分析時，Crossbeam系列將提升您的FIB應用效率。
使用快速精準三維成像及分析軟硬件包——Altas 5來擴展您的Crossbeam性能。
使用Atlas 5中集成的三維分析模塊可在三維斷層成像過程中進行EDS和EBSD分析。
雙束電鏡的斷層成像可獲得優異的三維空間分辨率和各向同性的三維體素尺寸；使用Inlens EsB探測器探測小于3 nm的深度，可獲得極表面的材料成分襯度圖像。
在加工過程中收集連續切片圖像以節省時間；精確的體素尺寸和自動流程保證圖像質量。
Crossbeam 350
利用低真空操作，使用可變壓力模式對含有氣體或帶電的樣品進行原位實驗。通過Gemini電子光學系統和鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor，實現高質量成像。
Crossbeam 550
為您進行要求苛刻的材料表征并選擇適合您的樣品尺寸——標準尺寸或大尺寸。Gemini 2電子光學系統即使在低電壓和高束流條件下亦可提供高分辨率。如需在高束流條件下獲得高分辨率圖像以及進行快速分析，這無疑是您的理想之選。
Crossbeam Laser
用于切割大量材料和制備大樣品的儀器——交換艙內的飛秒激光助力原位研究，避免了艙室污染，并可配置于Crossbeam 350和550，快速找到深埋結構的入口以及制備要求苛刻的結構（如原子探針樣品）。
Correlative Cryo Workflow（冷凍關聯工作流程）
這種用于在冷凍條件下進行TEM薄片制備和體積成像的解決方案能夠實現接近原生狀態的成像。關聯寬場顯微鏡、激光共聚焦顯微鏡和雙束電鏡， 同時保持多功能雙束電鏡的靈活性。
和所有的蔡司場發射掃描電鏡一樣，蔡司雙束電鏡Crossbeam系列的場發射掃描電鏡鏡筒基于Gemini電子光學系統。目前兩款鏡筒：配置Crossbeam 350的Gemini I VP鏡筒和配置Crossbeam 550的Gemini II鏡筒可供您選擇。
場發射掃描電鏡專為高分辨率成像而設計，其性能取決于它的電子光學鏡筒。Gemini技術支持所有的蔡司場發射掃描電鏡和雙束電鏡：特別為各種樣品，尤其是低電壓下提供高分辨和高效且操作簡單的探測。
Gemini物鏡是靜電透鏡和電磁透鏡復合的電子光學結構，可大大提升鏡筒的使用效果，面對富有挑戰性的磁性樣品同樣有出色的成像效果。
Gemini鏡筒配置的電子束加減速技術，可保證電子束斑尺寸和高信噪比。
Gemini鏡筒內設置的探測器，可確保信號的高效收集，可同時收集二次電子（SE）和背散射電子（BSE）信號。
掃描電鏡電子束對準可長期保持穩定，改變探針電流和加速電壓對系統幾乎沒有影響。
無磁場泄露的光學系統可實現大視野無畸變高分辨成像。
樣品傾斜轉動時不影響電子光學系統的表現。
更廣的樣品和環境適用性
放氣或者荷電樣品原位實驗的可行性
利用Inlens EsB探測器實現材料成分襯度
基于雙聚光鏡系統，在低電壓大束流下依然可以獲得高分辨圖像
通過高分辨成像及快速分析技術可在短時間內獲得更多信息
使用Inlens SE和EsB探測器實現形貌及成分襯度同時成像
得益于高度靈敏的表面成像分析
在低著陸能量下獲取高分辨圖像已經成為SEM應用的標準。本質上因為：
光束敏感樣品
非導電材料
獲得真實樣品表面信息，而不受樣品更深層背景信號的干擾
Gemini電子光學結構優化低電壓和超低電壓的分辨率并且增強了襯度。
其技術特點為使用高分辨率電子槍模式和可選的樣品臺減速技術（Tandem decel）。
高分辨率電子槍模式通過將電子束最初能量色散降低30%，令電子束色差盡可能降低。
樣品臺減速技術現配置給蔡司Crossbeam350/550，可以在兩種不同的模式下使用：
樣品臺減速技術（Tandem decel）采用兩步式電子束減速模式，它結合了電子束推進器技術和對樣品施加的高負偏壓，使入射束的電子減速，進而有效降低著陸電壓。
施加50V到100V之間的可變負偏壓，一種應用模式可增強您圖像的對比度。
施加1kV到5kV之間的負偏壓，提高您圖像的低加速電壓分辨率。
樣品臺減速技術可選樣品偏壓高達5 kV，進一步提高了低電壓下的出色成像能力
發現一種新的聚焦離子束（FIB）處理方式
鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor 可在不影響加工精度的情況下加快您的FIB工作進程，并讓您受益于其對任何樣品的低電壓性能。
蔡司Crossbeam產品系列配有新一代的鎵離子FIB鏡筒——Ion-sculptor，具有可實現高通量的高電流以及用于高樣品質量的出色低電壓性能。
充分利用鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor在低電壓下的出色性能來提升樣品質量。
盡可能減少您樣品的非晶化并使您在減薄后獲得出色結果。
產品具備全面穩定性，確保您獲得精準且可重復的結果。
通過快速探頭電流交換加速您的FIB應用。
借助高達100 nA的電子束流可進行高通量實驗。
實現小于3 nm的出色的FIB分辨率。
Crossbeam產品系列配有用于長期實驗的自動FIB發射恢復功能。
蔡司雙束電鏡Crossbeam 550配有Gemini II鏡筒，包括雙聚光鏡和兩個Inlens探測器以及一個以54°傾斜角度裝置的FIB鏡筒